Ementa:
Microcircuitos dedicados, semidedicados e de uso geral. Tecnologia bipolar, versões NMOS e CMOS. Modelamento dos processos de epitaxia, oxidação, difusão, processos com plasma, implantação de íons, fotolitografia, geração de máscaras. Controle e otimização. Testes e avaliação de controle e otimização. Testes e avaliação de confiabilidade.
Bibliografia:
i) A. B. Glaser, G. E. Subak: Integrated Circuit Engineering design, fabrication and applications; Sharpe Addison Wesley Publishing Co., 1977; ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000.
ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000.
Ano de Catálogo: 2018
Créditos: 4
Número mínimo de alunos: 6
Número de alunos matriculados: 11
Idioma de oferecimento: Português
Tipo Oferecimento: Regular
Local Oferecimento: UNICAMP-CAMPINAS
Horários/Salas:
Docentes:
Reservas:
Não possui reservas.| Hora | Segunda | Terça | Quarta | Quinta | Sexta | Sábado |
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